IS45S32800D芯片解密技术突破
智联科技针对IS45S32800D芯片解密等ISSI芯片破解技术研究已经率先取得突破，为芯片解密行业又解决了一大技术难题。为方便客户对芯片解密进行技术理解与解密技术实现的分析，方便工程师更好的对解密程序以及芯片本身的特性及应用进行了解，我们提供IS45S32800D芯片的技术资料，供大家做技术参考。
IS45S32800D概述
IS45S32800D是一个组织结构为4-banks×8M×32位同步高性能的256MB SDRAM。同步DRAM实现高速数据传输使用的管线架构。所有输入和输出信号的参考时钟输入上升沿。
IS45S32800D特性
●时钟频率：166,143MHz
●完全同步：所有信号引用了积极的时钟边沿
●扇区内部隐藏行访问/预充电
●单电源：3.3V±0.3V
●LVTTL接口
●可编程的突发长度
- （1,2,4,8，全页）
●可编程突发序列：循序/交错
●自动刷新（CBR）
●自刷新
●4096个刷新周期/16ms（A2级）或64ms（商业，工业，A1级）
●随机列地址每一个时钟周期
●可编程/ CAS延迟（2,3个时钟）
●突发读/写和突发读/单一写操作能力
●突发爆裂型终止和预充电命令
●封装：
- 86引脚TSOP-II封装
- 90球TF-BGA封装
●工作温度范围：
- 商用级（0℃至+70℃）
- 工业级（-40℃至+85℃）
- 自动A1级（-40℃至+85℃）
- 自动A2级（-40℃至+105℃）
对于芯片解密，智联科技并不局限于某种单一的解密方法，我们通常会要求客户提供母片给我们进行测试，在进行详细的技术分析后，我们会确定合理的解密方法和方案，希望能够让客户满意。同时，我们在解密周期及解密成本上会进行严格控制，总体解密技术水平居于业界较高水平。
如果有IS45S32800D单片机解密等ISSI芯片解密需求，请联系智联科技！